Compound SemiconductorLayTec
1. 在磊晶過程中進行LED磊晶片的及時監控:
> 發散率(emission)及反射率(reflectance)
> 磊晶速率計算(growth rate)
> 磊晶片曲率(curvature)
> 磊晶片之實際溫度(wafer true temperature)
2. 獨家雙波長量測技術 (950nm+633nm/405nm)。
3. 光纖訊號傳送,準確快速。
4. 應用於GaN、GaAs、InP之監控。
5. 模組化設計,體積輕巧。
6. 方便快速的磊晶速率分析軟體。
7. 備有可套用於MOCVD and MBE之溝通軟體